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MKS AX7695
时间: 2025-05-13浏览次数:
MKS AX7695
MKS AX7695 是 MKS Instruments 生产的一款远程等离子源,以下将从其特点、参数、应用等方面进行介绍:


  • 产品特点
    • 高性能气体供应:可提供高达 6.0 标准升每分钟(slm)的氧气或氧氮混合气体流量,满足半导体加工对反应性气体的高要求。
    • 多种气体选择:支持 100% 氧气、氩气或 90% 氧气 / 10% 氮气的点燃气体供应,能适应不同的半导体工艺需求。
    • 集成化设计:将石英真空腔体、射频(RF)电源和所有必要的控制功能集成在一个紧凑的自包含单元中,便于直接安装在工具的工艺腔室上,减少了系统复杂性和安装空间。
    • 高可靠性:设计用于满足半导体制造环境的高要求,具备优异的耐用性和稳定性,内部设有热保护和水流保护等联锁装置,可防止因冷却不足等问题导致的设备损坏。
    • 灵活的控制接口:配备离散量 I/O、9 和 25 针 D 连接器、RS-232、DeviceNet 和以太网(支持 MKS TOOLweb)等多种控制接口,方便与其他设备进行通信和集成,实现远程监控和自动化操作。
  • 技术参数
    • 工作压力:0.5-2.0 托(Torr)@1.0-6.0 slm。
    • 电源要求:180 至 228 伏交流电(VAC),50/60 赫兹(Hz),30 安培(A),三相。
    • 冷却要求:需要 1.75 加仑每分钟(gpm)的冷却水,水温低于 30℃。
    • 工作温度:最高 40℃。
    • 尺寸:15.7×13.7×12.14 英寸(399×348×308 毫米标称)。
    • 重量:85 磅(38.6 千克)。
    • 合规性:符合 SEMI S2-0703(包括 S8、S10)、CE EMC(EN 55011、EN 61326)、NRTL(UL 61010 A-1、CSA 22.2 No.1010.1)、SEMI F47-0200 电压骤降免疫等标准。
  • 应用领域
    • 薄膜沉积:在半导体制造中,用于在硅片表面沉积各种薄膜,如氧化硅、氮化硅等,通过提供反应性气体,促进薄膜的生长和形成。
    • 刻蚀工艺:用于在硅片上刻蚀出精确的图案,通过产生的等离子体对硅片表面进行选择性蚀刻,以实现集成电路等器件的制造。
    • 清洗工艺:可用于清洗硅片表面,去除有机污染物、光刻胶等杂质,保证硅片表面的清洁度,提高后续工艺的质量和可靠性。



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